晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板，采用了采用全數字移相觸發(fā)集成電路。中文名晶閘管智能模塊特點(diǎn)三相交流模塊輸出對稱(chēng)性好等優(yōu)點(diǎn)功耗低，效率高等適用溫度-25℃～+45℃目錄1模塊特點(diǎn)2模塊規格3注意事項4模塊參數晶閘管智能模塊模塊特點(diǎn)編輯（1）本產(chǎn)品均采用全數字移相觸發(fā)集成電路，實(shí)現了控制電路和晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強電的電力調控作用。（2）采用進(jìn)口方形芯片，模塊壓降小、功耗低，效率高；采用進(jìn)口貼片元件，保證觸發(fā)控制電路的可靠性；采用（DCB）陶瓷覆銅板，導熱性能好，熱循環(huán)負載次數高于國家標準近10倍；采用高級導熱絕緣封裝材料，絕緣、防潮性能優(yōu)良。（3）觸發(fā)控制電路、主電路和導熱底板相互隔離，導熱底板不帶電，絕緣強度≥2500V（RMS），保證人身安全。（4）三相交流模塊輸出對稱(chēng)性好，直流分量小。大規格模塊具有過(guò)熱、過(guò)流、缺相保護作用。（5）輸入0～10V直流控制信號或0～5V直流控制信號、4～20mA儀表信號，均可實(shí)現對主電路輸出電壓進(jìn)行平滑調節；可手動(dòng)、儀表或微機控制。（6）適用于阻性和感性負載。晶閘管在導通情況下，當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí)，晶閘管關(guān)斷。上海品質(zhì)DAWIN韓國大衛模塊工廠(chǎng)直銷(xiāo)

定義/晶閘管編輯晶閘管導通條件為：加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。它是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。晶閘管（Thyristor）是一種開(kāi)關(guān)元件，能在高電壓、大電流條件下工作，并且其工作過(guò)程可以控制、被應用于可控整流、交流調壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中，是典型的小電流控制大電流的設備。1957年，美國通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上個(gè)晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化。結構/晶閘管編輯晶閘管它是由一個(gè)P-N-P-N四層(4layers)半導體構成的，中間形成了三個(gè)PN結。分類(lèi)/晶閘管編輯晶閘管按其關(guān)斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管（SCR）、雙向晶閘管（TRIAC）、逆導晶閘管（RCT）、門(mén)極關(guān)斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管、溫控晶閘管（TT國外，TTS國內）和光控晶閘管（LTT）等多種。晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類(lèi)型。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種。上海品質(zhì)DAWIN韓國大衛模塊工廠(chǎng)直銷(xiāo)晶閘管有三個(gè)腿，有的兩個(gè)腿長(cháng)，一個(gè)腿短，短的那個(gè)就是門(mén)極。

具有單向導電特性，而陽(yáng)極A與門(mén)極之間有兩個(gè)反極性串聯(lián)的PN結。因此，通過(guò)用萬(wàn)用表的R×100或R×1kQ檔測量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個(gè)電極。具體方法是：將萬(wàn)用表黑表筆任接晶閘管某一極，紅表筆依次去觸碰另外兩個(gè)電極。若測量結果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ)，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω)，則可判定黑表筆接的是門(mén)極G。在阻值為幾百歐姆的測量中，紅表筆接的是陰極K，而在阻值為幾千歐姆的那次測量中，紅表筆接的是陽(yáng)極A，若兩次測出的阻值均很大，則說(shuō)明黑表筆接的不是門(mén)極G，應用同樣方法改測其他電極，直到找出三個(gè)電極為止。也可以測任兩腳之間的正、反向電阻，若正、反向電阻均接近無(wú)窮大，則兩極即為陽(yáng)極A和陰極K，而另一腳即為門(mén)極G。普通晶閘管也可以根據其封裝形式來(lái)判斷出各電極。螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽(yáng)極A，較細的引線(xiàn)端為門(mén)極G，較粗的引線(xiàn)端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線(xiàn)端為門(mén)極G，平面端為陽(yáng)極A，另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管，其外殼為陽(yáng)極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽(yáng)極A，且多與自帶散熱片相連。晶閘管觸發(fā)能力檢測：對于小功率(工作電流為5A以下)的普通晶閘管，可用萬(wàn)用表R×1檔測量。

塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。晶閘管晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用陶瓷封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管，快速晶閘管包括所有專(zhuān)為快速應用而設計的晶閘管，有常規的快速晶閘管和工作在更高頻率的高頻晶閘管，可分別應用于400HZ和10KHZ以上的斬波或逆變電路中。（備注：高頻不能等同于快速晶閘管）工作原理/晶閘管編輯晶閘管在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極（A）和陰極（K）與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。晶閘管晶閘管為半控型電力電子器件，它的工作條件如下：1.晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不管門(mén)極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，*在門(mén)極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。這時(shí)晶閘管處于正向導通狀態(tài)，這就是晶閘管的閘流特性，即可控特性。3.晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽(yáng)極電壓，不論門(mén)極電壓如何，晶閘管保持導通，即晶閘管導通后，門(mén)極失去作用。門(mén)極只起觸發(fā)作用。4.晶閘管在導通情況下。晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個(gè)PN結，可以把它中間的NP分成兩部分。

在恢復電流快速衰減時(shí)，由于外電路電感的作用，會(huì )在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U。從正向電流降為零，到反向恢復電流衰減至接近于零的時(shí)間，就是晶閘管的反向阻斷恢復時(shí)間t。[1]反向恢復過(guò)程結束后，由于載流子復合過(guò)程比較慢，晶閘管要恢復其對反向電壓的阻斷能力還需要一段時(shí)間，這叫做反向阻斷恢復時(shí)間tgr。在反向阻斷恢復時(shí)間內如果重新對晶閘管施加正向電壓，晶閘管會(huì )重新正向導通，而不受門(mén)極電流控制而導通。所以在實(shí)際應用中，需對晶閘管施加足夠長(cháng)時(shí)間的反壓，使晶閘管充分恢復其對正向電壓的阻斷能力，電路才能可靠工作。晶閘管的電路換向關(guān)斷時(shí)間t定義為t與t之和，即t=t+t除了開(kāi)通時(shí)間t、關(guān)斷時(shí)間t及觸發(fā)電流IGT外，本文比較關(guān)注的晶閘管的其它主要參數包括：斷態(tài)（反向）重復峰值電壓U（U）：是在門(mén)極斷路而結溫為額定值時(shí)，允許重復加在器件上的正向（反向）峰值電壓。通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標值作為該器件的額定電壓。通態(tài)平均電流I：國際規定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40℃和規定的冷卻狀態(tài)下，穩定結溫不超過(guò)額定結溫時(shí)所允許流過(guò)的**大工頻正弦半波電流的平均值。這也是標稱(chēng)其額定電流的參數。晶閘管的主要參數有反向最大電壓，是指門(mén)極開(kāi)路時(shí)，允許加在陽(yáng)極、陰極之間的比較大反向電壓。上海品質(zhì)DAWIN韓國大衛模塊工廠(chǎng)直銷(xiāo)

其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導晶閘管，光控晶閘管等。上海品質(zhì)DAWIN韓國大衛模塊工廠(chǎng)直銷(xiāo)

人們在制造工藝和結構上采取了一些改進(jìn)措施，做出了能適應于高頻應用的晶閘管，我們將它稱(chēng)為快速晶閘管。它具有以下幾個(gè)特點(diǎn)。一、關(guān)斷時(shí)間（toff）短導通的晶閘管，當切斷正向電流時(shí)。并不能馬上“關(guān)斷”，這時(shí)如立即加上正向電壓，它還會(huì )繼續導通。從切斷正向電流直到控制極恢復控制能力需要的時(shí)間，叫做關(guān)斷時(shí)間。用t0仟表示。晶閘管的關(guān)斷過(guò)程，實(shí)際上是儲存載流子的消失過(guò)程。為了加速這種消失過(guò)程，制造快速晶閘管時(shí)采用了摻金工藝，把金摻到硅中減少基區少數載流子的壽命。硅中摻金量越多，t0仟越小，但摻金量過(guò)多會(huì )影響元件的其它性能。二、導通速度快．能耐較高的電流上升率（dI/dt）控制極觸發(fā)導通的晶閘管?？偸窃诳拷刂茦O的陰極區域首先導通，然后逐漸向外擴展，直到整個(gè)面積導通。大面積的晶閘管需要50～100微秒以上才能積導通。初始導通面積小時(shí)，必須限制初始電流的上升速度，否則將發(fā)生局部過(guò)熱現象，影響元件的性能，甚至燒壞。高頻工作時(shí)這種現象更為嚴重。為此，仿造了集成電路的方法，在晶閘管同一硅片上做出一個(gè)放大觸發(fā)信號用的小晶閘管?？刂茦O觸發(fā)小晶閘管后，小晶閘管的初始導通電流將橫向經(jīng)過(guò)硅片流向主晶閘管陰極，觸發(fā)主晶閘管。上海品質(zhì)DAWIN韓國大衛模塊工廠(chǎng)直銷(xiāo)

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