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下面分別介紹利用萬(wàn)用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1檔,測量任意兩腳間的電阻,*當黑表筆接G極,紅表筆接K極時(shí),電阻呈低阻值,對其它情況電阻值均為無(wú)窮大。由此可迅速判定G、K極,剩下的就是A極。(此處指的模擬表,電子式萬(wàn)用表紅表筆與電池正極相連,模擬表紅表筆與電池負極相連)光控晶閘管晶閘管光控晶閘管(LightTriggeredThyristor——LTT),又稱(chēng)光觸發(fā)晶閘管。國內也稱(chēng)GK型光開(kāi)關(guān)管,是一種光敏器件。1.光控晶閘管的結構通常晶閘管有三個(gè)電極:控制極G、陽(yáng)極A和陰極K。而光控晶閘管由于其控制信號來(lái)自光的照射,沒(méi)有必要再引出控制極,所以只有兩個(gè)電極(陽(yáng)極A和陰極K)。但它的結構與普通可控硅一樣,是由四層PNPN器件構成。從外形上看,光控晶閘管亦有受光窗口,還有兩條管腳和殼體,酷似光電二極管。2.光控晶閘管的工作原理當在光控晶閘管的陽(yáng)極加上正向電壓,陰極加上負向電壓時(shí),控晶閘管可以等效成的電路??赏扑愠鱿率剑篒a=Il/[1-(a1+a2)]式中,Il為光電二極管的光電流;Ia為光控晶閘管陽(yáng)極電流,即光控晶閘管的輸出電流;a1、a2分別為BGl、BG2的電流放大系數。由上式可知。逆導晶閘管的關(guān)斷時(shí)間幾微秒,工作頻率達幾十千赫,優(yōu)于快速晶閘管(FSCR)。品質(zhì)意大利POSEICO晶閘管模塊銷(xiāo)售廠(chǎng)家
意大利POSEICO晶閘管模塊故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0晶閘管處于正向阻斷狀態(tài)。當晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下,從門(mén)極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結,從而提高其電流放大系數a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結,并提高了PNP管的電流放大系數a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結。這樣強烈的正反饋過(guò)程迅速進(jìn)行。從圖3,當a1和a2隨發(fā)射極電流增加而(a1+a2)≈1時(shí),式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia.這時(shí),流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向導通狀態(tài)。式(1—1)中,在晶閘管導通后,1-(a1+a2)≈0,即使此時(shí)門(mén)極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)極電流Ia而繼續導通。晶閘管在導通后,門(mén)極已失去作用。在晶閘管導通后,如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,使陽(yáng)極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí),由于a1和a1迅速下降,當1-(a1+a2)≈0時(shí),晶閘管恢復阻斷狀態(tài)。特性特性曲線(xiàn)晶閘管的陽(yáng)極電壓與陽(yáng)極電流的關(guān)系,稱(chēng)為晶閘管的伏安特性,如圖所示。晶閘管的陽(yáng)極與陰極間加上正向電壓時(shí),在晶閘管控制極開(kāi)路(Ig=0)情況下,開(kāi)始元件中有很小的電流(稱(chēng)為正向漏電流)流過(guò)。品質(zhì)意大利POSEICO晶閘管模塊銷(xiāo)售廠(chǎng)家由于這種特殊電路結構,使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。
晶閘管模塊基本的用途是可控整流。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管,就可以形成可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周內,如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG,vs仍不能接通。只有當U2處于正半周時(shí),當觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時(shí),晶閘管才接通?,F在,繪制其波形(圖4(c)和(d)),可以看到只有當觸發(fā)脈沖UG到達時(shí),負載RL具有電壓UL輸出(波形上的陰影)。當UG到達較早時(shí),晶閘管導通時(shí)間較早;UG到達較晚時(shí),晶閘管導通時(shí)間較晚。通過(guò)改變觸發(fā)脈沖Ug在控制極上的到達時(shí)間,可以調節負載上輸出電壓的平均UL(陰影部分的面積)。在電工技術(shù)中,交流電的半周常被設定為180度,稱(chēng)為電角。因此,在U2的每一個(gè)正半周期中,從零值到觸發(fā)脈沖到達時(shí)刻的電角稱(chēng)為控制角α,每個(gè)正半周期中晶閘管導電的電角稱(chēng)為導通角θ。顯然,α和θ都用來(lái)表示晶閘管在正向電壓半周內的通斷范圍。通過(guò)改變控制角度0或導通角theta,可通過(guò)改變負載上的脈沖直流電壓的平均ul來(lái)實(shí)現可控整流器。
定義/晶閘管編輯晶閘管導通條件為:加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導晶閘管,光控晶閘管等。它是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導體器件,在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示(舊標準中用字母“SCR”表示)。晶閘管(Thyristor)是一種開(kāi)關(guān)元件,能在高電壓、大電流條件下工作,并且其工作過(guò)程可以控制、被應用于可控整流、交流調壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中,是典型的小電流控制大電流的設備。1957年,美國通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上個(gè)晶閘管產(chǎn)品,并于1958年使其商業(yè)化。結構/晶閘管編輯晶閘管它是由一個(gè)P-N-P-N四層(4layers)半導體構成的,中間形成了三個(gè)PN結。分類(lèi)/晶閘管編輯晶閘管按其關(guān)斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管(SCR)、雙向晶閘管(TRIAC)、逆導晶閘管(RCT)、門(mén)極關(guān)斷晶閘管(GTO)、BTG晶閘管、溫控晶閘管(TT國外,TTS國內)和光控晶閘管(LTT)等多種。晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類(lèi)型。其中,金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種。其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導晶閘管,光控晶閘管等。
圖簡(jiǎn)單地給出了晶閘管開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的電壓與電流波形。圖中開(kāi)通過(guò)程描述的是晶閘管門(mén)極在坐標原點(diǎn)時(shí)刻開(kāi)始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況;而關(guān)斷過(guò)程描述的是對已導通的晶閘管,在外電路所施加的電壓在某一時(shí)刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r(如圖中點(diǎn)劃線(xiàn)波形)。開(kāi)通過(guò)程晶閘管的開(kāi)通過(guò)程就是載流子不斷擴散的過(guò)程。對于晶閘管的開(kāi)通過(guò)程主要關(guān)注的是晶閘管的開(kāi)通時(shí)間t。由于晶閘管內部的正反饋過(guò)程以及外電路電感的限制,晶閘管受到觸發(fā)后,其陽(yáng)極電流只能逐漸上升。從門(mén)極觸發(fā)電流上升到額定值的10%開(kāi)始,到陽(yáng)極電流上升到穩態(tài)值的10%(對于阻性負載相當于陽(yáng)極電壓降到額定值的90%),這段時(shí)間稱(chēng)為觸發(fā)延遲時(shí)間t。陽(yáng)極電流從10%上升到穩態(tài)值的90%所需要的時(shí)間(對于阻性負載相當于陽(yáng)極電壓由90%降到10%)稱(chēng)為上升時(shí)間t,開(kāi)通時(shí)間t定義為兩者之和,即t=t+t通常晶閘管的開(kāi)通時(shí)間與觸發(fā)脈沖的上升時(shí)間,脈沖峰值以及加在晶閘管兩極之間的正向電壓有關(guān)。[1]關(guān)斷過(guò)程處于導通狀態(tài)的晶閘管當外加電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎r(shí),由于外電路電感的存在,其陽(yáng)極電流在衰減時(shí)存在過(guò)渡過(guò)程。陽(yáng)極電流將逐步衰減到零,并在反方向流過(guò)反向恢復電流,經(jīng)過(guò)**大值I后,再反方向衰減。同時(shí)。這類(lèi)應用一般多應用在電力試驗設備上,通過(guò)變壓器,調整晶閘管的導通角輸出一個(gè)可調的直流電壓。品質(zhì)意大利POSEICO晶閘管模塊銷(xiāo)售廠(chǎng)家
普通晶閘管(SCR)靠門(mén)極正信號觸發(fā)之后,撤掉信號亦能維持通態(tài)。品質(zhì)意大利POSEICO晶閘管模塊銷(xiāo)售廠(chǎng)家
具有單向導電特性,而陽(yáng)極A與門(mén)極之間有兩個(gè)反極性串聯(lián)的PN結。因此,通過(guò)用萬(wàn)用表的R×100或R×1kQ檔測量普通晶閘管各引腳之間的電阻值,即能確定三個(gè)電極。具體方法是:將萬(wàn)用表黑表筆任接晶閘管某一極,紅表筆依次去觸碰另外兩個(gè)電極。若測量結果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ),而另一次阻值為幾百歐姆(Ω),則可判定黑表筆接的是門(mén)極G。在阻值為幾百歐姆的測量中,紅表筆接的是陰極K,而在阻值為幾千歐姆的那次測量中,紅表筆接的是陽(yáng)極A,若兩次測出的阻值均很大,則說(shuō)明黑表筆接的不是門(mén)極G,應用同樣方法改測其他電極,直到找出三個(gè)電極為止。也可以測任兩腳之間的正、反向電阻,若正、反向電阻均接近無(wú)窮大,則兩極即為陽(yáng)極A和陰極K,而另一腳即為門(mén)極G。普通晶閘管也可以根據其封裝形式來(lái)判斷出各電極。螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽(yáng)極A,較細的引線(xiàn)端為門(mén)極G,較粗的引線(xiàn)端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線(xiàn)端為門(mén)極G,平面端為陽(yáng)極A,另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管,其外殼為陽(yáng)極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽(yáng)極A,且多與自帶散熱片相連。晶閘管觸發(fā)能力檢測:對于小功率(工作電流為5A以下)的普通晶閘管,可用萬(wàn)用表R×1檔測量。品質(zhì)意大利POSEICO晶閘管模塊銷(xiāo)售廠(chǎng)家
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CMDB配置管理系統通常提供狀態(tài)智能識別與判斷機制,以幫助企業(yè)對配置項的狀態(tài)進(jìn)行智能化的判斷和識別。以下是一些常見(jiàn)的狀態(tài)智能識別與判斷機制:自動(dòng)化狀態(tài)更新:CMDB系統可以通過(guò)集成和連接到其他監控系統 。
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